PL60N02D TO-252-3 60A20VN通道增强模式MOSFET 百盛电子代理商

上善若水山西太原

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2022-07-28

概述


PL60N02D采用先进的沟槽技术，提供优良的RDS(ON)、低栅极电荷和栅极电压低至2.5V的操作。本设备适用于用作电池保护或其他开关应用程序。


特征


VDS = 20V ID =60A


RDS(ON) < 5.5mΩ@ VGS=10V


应用


蓄电池保护


负荷开关


不间断电源

PL60N02D TO-252-3 60A20VN通道增强模式MOSFET 百盛电子代理商_N通道MOSFET

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