FS8205A低压20V N 沟道增强型 MOS 场效应管，20V N 沟道增强型

MOS

场效应管

20V N-Channel Enhancement-Mode MOSFET

RDS(ON), Vgs@2.5V, Ids@3.0A = 28mΩ

RDS(ON), Vgs@4.0V, Ids@4.0A = 24mΩ

RDS(ON), Vgs@4.5V, Ids@4.5A = 21mΩ

特点

 专有的先进平面技术  高密度超低电阻设计  大功率、大电流应用  理想的锂电池应用  封装形式： SOT23-6 、 TSSOP-8