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ASEMI的MOS管24N50参数：

型号：24N50

漏源电压（VDSS）：500V

连续漏极电流（ID）：24A

栅源电压（VGSS）：±30V

功耗（PD）：290W

漏源漏电流（IDSS）：50uA

栅极阈值电压（VGS(TH)）：4V

静态漏源导通电阻（RDS(ON)）：0.24Ω

输出电容（COSS）：670pF

最大脉冲正向电流（ISM）：96A

漏源二极管正向电压（VSD）：1.4V

反向恢复时间（trr）：250nS

24N50封装尺寸：

封装：TO-247

总长度：41.55mm

本体长度：21.3mm

引脚长度：20.25mm

宽度：16.25mm

高度：5.05mm

脚间距：5.7mm

24N50特征：

RDS(ON)=0.24Ω @ VGS=10V

高开关速度

100%雪崩测试