1、2ED21094S06J 和2ED21084S06J 是采用DSO-14封装、集成自举二极管的650V、0.7A半桥栅极驱动器，可驱动各种电力电子应用中的IGBT、增强型N沟道MOSFET。

优势

集成自举二极管（BSD）- 通过更简单的设计、更低的成本来节省空间、降低物料清单成本和缩小PCB尺寸

电平转换损失减少50%

对VS引脚的负瞬态电压（-100 V）有着出色的耐用性和抗干扰性

特征描述

工作电压（VS节点）高达 + 650 V

VS负瞬态抗扰 100 V

集成超快、低电阻自举二极管, 减少了物料清单成本

浮动通道，用于自举操作

高压和低压引脚分开，以实现最大的爬电距离和电气间隙

逻辑接地和电源接地分开，缩短栅极回路

两个通道均具有独立的欠压锁定（UVLO）

传播延时：200 ns

540 ns 内部死区时间

HIN, /LIN 逻辑输入

最大电源电压：25 V

VS引脚的逻辑操作高达–11 V

输入负电压容差：–5 V

浮动通道可用于驱动采用高边配置的N通道MOSFET、SiC MOSFET或IGBT

规格

驱动配置：半桥

通道类型：同步

驱动器数：1

栅极类型：IGBT，N 沟道 MOSFET

电压 - 供电：10V ~ 20V

逻辑电压 - VIL，VIH：1.1V，1.7V

电流 - 峰值输出（灌入，拉出）：CB，cCSAus，CE，CQC，TUV

输入类型：非反相

高压侧电压 - 最大值（自举）：650 V

上升/下降时间（典型值）：100ns，35ns

工作温度：-40°C ~ 125°C（TA）

安装类型：表面贴装型

封装/外壳：14-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）

明佳达电子（供求）采用8或14 引脚DSO封装，2ED21094S06J、2ED21084S06J、2ED2104S06F、2ED2101S06F（650V）栅极驱动器IC

2、2ED2101S06F 和 2ED2104S06F是采用DSO-8封装的650 V高速、高端和低端栅极驱动器，具有典型的0.29 A源电流和0.7 A灌电流，用于驱动功率MOSFET和IGBT。

2ED2104S06F 半桥栅极驱动器IC

驱动配置：半桥

通道类型：独立式

驱动器数：2

栅极类型：IGBT，N 沟道 MOSFET

电压 - 供电：10V ~ 20V

逻辑电压 - VIL，VIH：1.1V，1.7V

电流 - 峰值输出（灌入，拉出）：CB，cCSAus，CE，CQC，TUV

输入类型：非反相

高压侧电压 - 最大值（自举）：650 V

上升/下降时间（典型值）：70ns，35ns

工作温度：-40°C ~ 125°C（TA）

安装类型：表面贴装型

封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）

供应商器件封装：PG-DSO-8-69

2ED2101S06F 高低边栅极驱动器IC

驱动配置：高压侧和低压侧

通道类型：独立式

驱动器数：2

栅极类型：IGBT，N 沟道 MOSFET

电压 - 供电：10V ~ 20V

逻辑电压 - VIL，VIH：1.1V，1.7V

电流 - 峰值输出（灌入，拉出）：CB，cCSAus，CE，CQC，TUV

输入类型：非反相

高压侧电压 - 最大值（自举）：650 V

上升/下降时间（典型值）：70ns，35ns

工作温度：-40°C ~ 125°C（TA）

安装类型：表面贴装型

封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）

供应商器件封装：PG-DSO-8-69

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