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EEPROM
EEPROM 的全称是“电可擦除可编程只读存储器”。狭义的 EEPROM 可以随机访问修改任何一个字节，可以往每个 bit 中写入 0 或者 1，容量很少超过 512KB。
Flash
广义的 EEPROM 称为 Flash，其擦除时不再以字节为单位，而是以块为单位（简化了电路），数据密度更高，容量在 1 MB 以上。可分为 nor flash 和 nand flash：
nor flash | 数据线和地址线分开（像 RAM 一样随机寻址，读取任何一个字节） | 几兆字节 | 成本高 | 寿命低 | 坏块导致不可用 |
nand flash | 数据线和地址线复用（读取速度慢，按页寻址，通常一次性读取 512 字节） | 数十兆字节 | 成本低 | 寿命高 | 可标记坏块 |
用户不能直接运行 nand flash 上的代码，嵌入式系统多用一个小容量的 nor flash 存储引导代码，用一个大容量的 nand flash 存放文件系统和内核。
Nand Flash 是存储芯片，而 SD 卡是将 Nand Flash 芯片叠加到一起，扩大容量，同时添加管理系统芯片。Nand Flash是不可以直接使用的，需要驱动程序，SD则自带驱动程序，直接可用。
TF 卡
t-Flash，又称为 micro SD，使用 NAND MLC 技术以及控制器技术。
MMC
非遗失性存储部件。有 MMC 模式和 SPI 模式。有 7 个 PIN，比 SD 卡少两个 PIN。
eMMC(embedded multi media card)
主要针对手机或平板电脑等产品的内嵌式存储器标准规格。
SRAM —— cache。
静态随机存储器。当数据被存入其中后不会消失。速度较快。存储 1bit 信息需要 4-6 只晶体管。更加省电。造价更加昂贵，容量小。
DRAM —— 计算机内存。（FPRAM/FastPage、EDORAM、SDRAM（同步 DRAM）、DDR RAM、RDRAM、SGRAM、WRAM）
动态随机存储器。必须在一定时间内不停刷新才能保持其中的数据。速度较慢。只需要一只晶体管。便宜。容量大。
DDR RAM：也称为 DDR SDRAM（双通道同步动态 RAM），与 SDRAM 类似，不过它可以在一个时钟读写两次数据，这样使得数据传输速度加快了，目前使用的最多的一种内存形式。
SRAM 不应该与 SDRAM 相混淆，SDRAM 代表 同步（Synchronous，读写数据需要时钟同步）DRAM，与S（static）RAM 是不同的。
