1、简介
W631GG8NB是1G位DDR3 SDRAM，组织为16，777，216字8个存储体8位。该器件可实现高达2133 MT/s（DDR3-2133）的高速传输速率，适用于各种应用。该设备分为以下速度等级：-09、-11、-12、-15、09I、11I、12I、15I、09J、11J、12J和15J。
其中-15、15i和15J速度等级符合DDR3-1333（9-9-9）规范（15i工业级保证支持-40°C≤TCASE≤95°C，15J工业增强型保证支持-40°C≤TCASE≤105°C）。
W631GG8NB的设计符合以下关键DDR3 SDRAM功能，如发布CAS#、可编程CAS#写入延迟（CWL）、ZQ校准、芯片端接和异步复位。所有控制和地址输入均与一对外部提供的差分时钟同步。输入在差分时钟的交叉点（CK上升和CK#下降）被锁存。所有I/O都以源同步方式与差分DQS-DQS#对同步。
明佳达供求1Gb DDR3 SDRAM W631GG8NB15I、W631GG8NB-15同步动态随机存取内存。
2、规格
⑴ W631GG8NB15I IC DRAM 1GBIT SSTL 15 78VFBGA
存储器类型：易失
存储器格式：DRAM
技术：SDRAM - DDR3
存储容量：1Gb
存储器组织：128M x 8
存储器接口：SSTL_15
时钟频率：667 MHz
写周期时间 - 字，页：15ns
访问时间：20 ns
电压 - 供电：1.425V ~ 1.575V
工作温度：-40°C ~ 95°C（TC）
安装类型：表面贴装型
封装/外壳：78-VFBGA
供应商器件封装：78-VFBGA（8x10.5）
⑵ W631GG8NB-15存储器 IC DRAM 1GBIT SSTL 15 78VFBGA
存储器类型：易失
存储器格式：DRAM
技术：SDRAM - DDR3
存储容量：1Gb
存储器组织：128M x 8
存储器接口：SSTL_15
时钟频率：667 MHz
写周期时间 - 字，页：15ns
访问时间：20 ns
电压 - 供电：1.425V ~ 1.575V
工作温度：0°C ~ 95°C（TC）
安装类型：表面贴装型
封装/外壳：78-VFBGA
供应商器件封装：78-VFBGA（8x10.5）
基本产品编号：W631GG8NB
3、框图
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