全部学习汇总： GreyZhang/g_TC275: happy hacking for TC275! (github.com)
前面看了一部分供电相关的内容，但是还剩下一部分信息没有看完。这一次继续看一下。
外部供电模式。这一个外部供电模式是比较彻底的外部供电，5V、3.3V以及1.3V的内核供电都是在MCU外部产生提供的。由此，这几个供电在启动时序上应该是全都同步开始的。
画出来的这一部分其实可以看得出来，描述跟前面的分析是一致的。
单供电模式只有一个3.3V实现所有的供电，而这种情况下对应的MCU系统是3.3V的。由此，只有1.3V的内核供电是由MCU在内部产生的。这样，在供电的时序上应该是分为两部分的，3.3V是最先同步生成的，而1.3V在后面。
分析跟前面基本类似，但是惯性思维，其实考虑了多个3.3V的生成。然而，在这种模式下其实只有一个，因此时序图中的元素看上去更加简单。
这里有一个典型的启动时间的参考。而这个启动时间的定义其实是很明确的，就是从供电开始到第一条指令ready。看到这里，感觉这个定义还是很明确的。但是，如果测量这样的一个事件似乎并不是很简单。
这个图中方框线画出来的部分，看得出来HWCFG是有可能出现变化的。那么，这个为什么会发生变化呢？其实，可以结合三个箭头地方的编程提示信息来理解。其实，设计不同的时候软件可能影响到相应的HWCFG PIN的配置。
这是EVR的特性表，这里面画出来了几个典型的电压值。这几个值可以用来评估晶振的峰峰值的有效范围。
内核电压的特性表。其实，很多参数的最大值以及最小值都是在典型值的基础上做了10%的偏差。
这个表头其实是有一些让人感到疑惑的。这个监控是说这个表格是一个监控的结果还是说MCU有这样的一个监控的功能？这里没有明确的说明，而后一种的可能从现在的信息中心似乎也很难一下子就能够得到这样的结论。
1.3V的生成涉及到一个切换的时间，这个多少有点不理解。猜测，这个可能是用于实现1.3V电压生成时候用到的一个激励信号。而这个1.3V的声称能，采用的是BUCK斩波电路，而这个电路中需要的一个频率信号应该就是这个信号。
学习得与实践相结合才会有更好的效果，现在看这些资料看到了大量的新知识，感觉收获很大的同时又有一些无所适从。接下来，如果在实践之中能够让这些资料的信息得以发挥应该会让学习有更好的效果。
